

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2409518

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2009127216/05

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	C01B033/027 C30B029/06 C30B030/02
Аналоги изобретения:	WO 9931013 A1, 24.06.1999. JP 63-074909 A, 05.04.1988. RU 2222649 C2, 27.01.2004. RU 2158324 C1, 27.10.2000. US 4724160 A, 09.02.1988.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический университет" (RU)
Изобретатели:	Лопатин Владимир Васильевич (RU) Иванов Никита Александрович (RU) Солдатов Алексей Иванович (RU) Павлова Марина Леонидовна (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический университет" (RU)

Реферат

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов, солнечных элементов и микроэлектронике. Кремний осаждают на предварительно нагретые высокочастотным током подложки из чистого кремния. Изобретение позволяет получать кремний высокой чистоты. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"