БУЛАНОВ А.Д. и др. Получение и глубокая очистка SiF4 и 28SiH4. - Неорганические материалы, 2002, т.38, 3, с.356-361. RU 2182558 C1, 20.05.2002.
Имя заявителя:
УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РАН (ИХВВ РАН) (RU)
Изобретатели:
Чурбанов Михаил Фёдорович (RU) Буланов Андрей Дмитриевич (RU) Трошин Олег Юрьевич (RU) Лашков Артём Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РАН (ИХВВ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в электронной промышленности и волоконной оптике. Предварительно нагревают гексафторсиликат натрия до 420-480°С и не менее 7 часов при указанной температуре откачивают все выделяющиеся газы. Затем проводят терморазложение гексафторсиликата натрия при температуре более 550°С с одновременной конденсацией тетрафторида кремния. Несконденсированную газовую фазу удаляют вакуумированием. Изобретение позволяет получать тетрафторид кремния с выходом 95% и содержанием примесей углеводородов C1-C4 не более 2·10-5 мол.%, гексафтордисилоксана 7·10-1 мол.% 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента