US 6146601 А, 14.11.2000. JP 2003-053153 A, 25.02.2003. SU 1375585 A1, 23.02.1988.
Имя заявителя:
СТЕЛЛА ТЕМИФА КОРПОРЕЙШН (JP)
Изобретатели:
ВАКИ Масахиде (JP) МИЯМОТО Казухиро (JP)
Патентообладатели:
СТЕЛЛА ТЕМИФА КОРПОРЕЙШН (JP)
Приоритетные данные:
08.09.2005 JP 2005-260750
Реферат
Настоящее изобретение относится к способу изотопного обогащения кремния, используемого в области полупроводниковых материалов, оптике и других подобных отраслях. Способ изотопного обогащения содержит стадию осуществления изотопного обмена между водным раствором, содержащим, по меньшей мере, два компонента, каждый из которых представлен формулой H2O-H2SiF6·nSiF4 (где n0) и газом, содержащим SiF4, для обогащения стабильного изотопа Si. С помощью предложенного способа возможно получение изотопно-обогащенного кремния в широких масштабах, при осуществлении способа не требуется взрывоопасного оборудования, может быть снижена стоимость оборудования, а также обеспечена более высокая безопасность процесса. 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 5 ил.