

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА

Номер публикации патента: 2390494

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2009105816/15

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	C01B033/04
Аналоги изобретения:	US 5061470 A1, 29.10.1991. RU 2226501 C1, 10.04.2004. RU 2077483 C1, 20.04.1997. US 4499063 A, 12.02.1985. US 4374111 A, 15.02.1983. JP 2004-131415 A, 30.04.2004.

Имя заявителя:	Петрик Виктор Иванович (RU), Грызлов Борис Вячеславович (RU)
Изобретатели:	Петрик Виктор Иванович (RU) Грызлов Борис Вячеславович (RU)
Патентообладатели:	Петрик Виктор Иванович (RU) Грызлов Борис Вячеславович (RU)

Реферат

Изобретение может быть использовано для получения моносилана, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, производства поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты. Взаимодействие тетрафторида кремния с галогенгидридом кальция общей формулы СаНХ, где Х=Cl, Br или J, проводят в среде С₁₂-С₃₀-полифениловых эфиров или их смесей с дифенилом при температуре 100-250°С. Изобретение позволяет увеличить селективность процесса, повысить чистоту конечного продукта и выход до 97%. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"