RU 2226501 С1, 10.04.2004. RU 2173297 С2, 10.09.2001. US 4623531 А, 18.11.1986. БУЛАНОВ А.Д. и др. Получение и глубокая очистка SiF4 и 28SiH4. - Неорганические материалы, 2002, т.38, 3, с.356-361.
Имя заявителя:
УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РАН (ИХВВ РАН) (RU)
Изобретатели:
Буланов Андрей Дмитриевич (RU) Трошин Олег Юрьевич (RU) Михеев Виктор Сергеевич (RU) Лашков Артём Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РАН (ИХВВ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для получения высокочистого силана, используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, покрытий из изотопно-обогащенного диоксида кремния. Тетрафторид кремния восстанавливают гидридом кальция при 180-200°С с последующей очисткой от фторсодержащих примесей пропусканием полученного силана через реактор с гидридом кальция и примесей углеводородов. Восстановление тетрафторида кремния ведут в присутствии водорода с механической активацией в горизонтально расположенном проточном реакторе, вращающемся со скоростью 90-150 об/мин, для чего в реактор загружают мелющие тела. В варианте изобретения получают высокочистые изотопно-обогащенные силаны 28SiH4, 29SiH4 или 30SiH4. Изобретение позволяет получать силан с выходом 95%, содержание примесей углеводородов в силане-ректификате составляет менее 9·10-7 мол.%. 2 н. и 6 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента