Моносилан в технологии полупроводниковых материалов/ Обзорная информация. Серия «Элементорганические соединения и их применение». - М.: Химическая промышленность, НИИЭТХИМ, 1989, с.36. RU 2083492 C1, 07.10.1997. WO 02083561 A2, 24.10.2002. US 2005016638 A1, 27.01.2005. CN 1062710 A, 15.07.1992.
Имя заявителя:
Урусов Казим Харшимович (RU)
Изобретатели:
Кошкин Константин Николаевич (RU) Семенов Валерий Васильевич (RU) Серопян Георгий Ваграмович (RU) Урусов Казим Харшимович (RU)
Патентообладатели:
Урусов Казим Харшимович (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для получения моносилана в производстве кремния полупроводникового или электронного качества и синтеза кремнийорганических соединений. Способ заключается во взаимодействии дисперсных частиц кремниевой кислоты и кремнекислого магния с кусковыми фрагментами магния в инертной среде при непрерывном перемешивании и температуре 650-800°С. Соотношение масс перемешиваемых компонентов смеси: M(H2SiO3):M(MgSiO3):M(Mg)=1,0:(0÷1,0):(1÷1,5). Максимальный размер частиц кремнийсодержащих компонентов не превышает 2 мм, а соотношение размеров последних с размерами кусковых фрагментов магния: D(MgSiO3)(H2SiO3):D(Mg)=1:(10÷20). Изобретение позволяет получать силицид магния с повышенной чистотой. 1 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента