

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2368568

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2006134502/15

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	C01B033/027
Аналоги изобретения:	US 4684513 А, 04.08.1987. RU 2222649 С2, 27.01.2004. RU 2155158 C1, 27.08.2000. DE 3842099 A1, 22.06.1989. ФАЛЬКЕВИЧ Э.С. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, с.133-137, 213-217, 242-247.

Имя заявителя:	Дегусса АГ (DE)
Изобретатели:	ПЕПКЕН Тим (DE) ЗОННЕНШАЙН Раймунд (DE)
Патентообладатели:	Дегусса АГ (DE)
Приоритетные данные:	02.03.2004 DE 102004010055.1

Реферат

Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Кремний высокой чистоты получают термическим разложением силансодержащей смеси в газовой фазе с осаждением компактного слоя кремния. Используемая газовая смесь содержит моносилан, монохлоросилан и, если желательно, другие силаны. Предложенное изобретение позволяет получить высокочистый кремний при снижении образования тонкодисперсной пыли. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 табл.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"