|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ |  |
Номер публикации патента: 2327639 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01B033/027 | | Аналоги изобретения: | RU 2173738 C1, 20.09.2001. RU 2078034 C1, 27.04.1997. US 4457902 A, 03.07.1984. WO 2006041271 A1, 20.04.2006. ФАЛЬКЕВИЧ Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, с.130-137. |
| Имя заявителя: | Грибов Борис Георгиевич (RU) | | Изобретатели: | Колмогоров Юрий Георгиевич (RU)
Антонов Александр Николаевич (RU)
Афанасьев Валерий Давидович (RU)
Грибов Борис Георгиевич (RU)
Зиновьев Константин Владимирович (RU) | | Патентообладатели: | Грибов Борис Георгиевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов. Чистый диоксид кремния расплавляют, при температуре 1900°С вводят в расплав смесь порошков чистого кремния и диоксида кремния, взятых в стехиометрическом соотношении. Образующийся при этом газообразный монооксид кремния восстанавливается в газовой фазе чистым метаном при температуре 2300-2500°С с образованием элементарного кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента