|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО ИЗОТОПНО - ОБОГАЩЕННОГО СИЛАНА |  |
Номер публикации патента: 2226501 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01B033/04 | | Аналоги изобретения: | БУЛАНОВ А.Д. и др. Получение и глубокая очистка SiF |
| Имя заявителя: | Институт химии высокочистых веществ РАН | | Изобретатели: | Буланов А.Д.
Пряхин Д.А.
Трошин О.Ю.
Балабанов В.В. | | Патентообладатели: | Институт химии высокочистых веществ РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого силана, обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения Si в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из моноизотопного SiO2. Высокочистый изотопно-обогащенный силан получают по реакции восстановления изотопно-обогащенного тетрафторида кремния гидридом кальция при 180-200°С.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента