

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНООКИСИ КРЕМНИЯ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2207979

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2001128343/12

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C01B033/113
Аналоги изобретения:	КУЛАГИН И.Д. и др. Низкотемпературная плазма. Плазменная металлургия. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1992, т.8, с.222-224. SU 1791381 А1, 30.01.1993. US 5096685 А, 17.03.1992.

Имя заявителя:	Восточно-Сибирский государственный технологический университет
Изобретатели:	Дандарон Г.-Н.Б. Ранжуров Ц.В. Балданов М.М.
Патентообладатели:	Восточно-Сибирский государственный технологический университет

Реферат

Изобретение относится к электронной технике, а именно к получению моноокиси кремния, который используется в качестве диэлектрического и изоляционного материала при изготовлении конденсаторов, триодов и других микропленочных элементов. Моноокись кремния получают восстановлением двуокиси кремния кремнием по реакции SiO2+Si=2SiO в защитной атмосфере.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"