|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОИЗОТОПНОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2137710 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C01B033/027 C22B005/00 | | Аналоги изобретения: | Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1969, с.13. RU 2019504 C1, 15.09.94. RU 94006423 A1, 10.01.96. US 4642228 A, 10.02.87. US 4756896 A, 12.07.88. |
| Имя заявителя: | Петранин Николай Павлович | | Изобретатели: | Бардин В.А.
Петранин Н.П.
Свидерский М.Ф. | | Патентообладатели: | Петранин Николай Павлович |
Реферат | |
Использование: для получения моноизотопного кремния для электроники. Процесс получения кремния ведут через тетрафторид. Исходный продукт - кварцит нагревают с отвальным гексафторидом урана. Получающийся тетрафторид кремния разделяют на моноизотопы в центральном поле. Моноизотопный тетрафторид кремния восстанавливают аммиаком при температуре ниже 1000oC, обеспечивается снижение затрат. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента