|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА |  |
Номер публикации патента: 2077483 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C01B033/04 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4499063, кл. C 01 B 33/04, 1985. |
| Имя заявителя: | Всероссийский научно-исследовательский институт химической технологии | | Изобретатели: | Фадеев Л.Л.
Кварацхели Ю.К.
Жирков М.С.
Ивашин А.М.
Кудрявцев В.В.
Гришин А.В.
Филинов В.Т. | | Патентообладатели: | Всероссийский научно-исследовательский институт химической технологии |
Реферат | |
Использование: производство высокочистого поликристаллического кремния, полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения: способ заключается во взаимодействии гидрида кальция с газообразным тетрафторидом кремния в солевом расплаве хлоридов лития и калия. Тетрафторид кремния используют в концентрации 50 - 100 об.%. Тетрафторид кремния разбавляют очищенным от кислорода азотом. Вводят его в избытке до 2 мас.% по отношению к стехиометрическому. Полученный моносилан подвергают дополнительной очистке адсорбцией. В качестве сорбента используют гранулированный фторид натрия. Очистку ведут в две стадии: при 130 - 140oС и при 250 - 280oС. Положительный эффект: чистота получаемого моносилана 99,998 - 99,999%. 2 з.п. ф-лы, 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента