RU 2333888, 20.09.2008. SU 1717539 A1, 19.07.1989. US 4980201 A, 25.12.1990. JP 4254585 A, 09.09.1992. JP 5070229 A, 23.03.1993. EP 0543752 A1, 26.05.1993. JP 5179450 A, 20.07.1993.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Технология" (RU)
Изобретатели:
Рощин Владимир Михайлович (RU) Силибин Максим Викторович (RU) Сагунова Ирина Владимировна (RU) Шевяков Василий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Технология" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а именно к получению тонких пленок карбида вольфрама. Сущность изобретения: способ формирования тонких пленок карбида вольфрама включает нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую подложку и карботермический синтез, причем тонкую пленку вольфрама наносят импульсно-плазменным осаждением, а карботермический синтез проводят, помещая полупроводниковую подложку с тонкой пленкой вольфрама на графитовый столик и подвергая термообработке в вакууме при давлении не выше 5·10-4 Па, при температуре от 450 до 600°С, при времени выдержки при данных температурах не менее 40 минут. Технический результат: снижение температуры синтеза карбида вольфрама и упрощение способа его формирования. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента