SU 701934 А, 05.12.1979. RU 2209178 C1, 27.07.2003. SU 560896 A, 05.06.1977. SU 1411275 A1, 23.07.1988. GB 357026 A, 17.09.1931. КАРЯКИН Ю.В. Чистые химические реактивы. - Л.: Госхимиздат, 1947, с.286, 287.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Изобретатели:
Гринберг Евгений Ефимович (RU) Левин Юрий Исаакович (RU) Филатова Людмила Николаевна (RU) Быковская Алла Сергеевна (RU) Пилюгин Валерий Михайлович (RU) Заколодина Татьяна Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к получению и очистке термической ортофосфорной кислоты и может быть использовано в химической промышленности. В токе осушенного инертного газа или воздуха вводят элементарный фосфор, содержащий 0,54-0,6 мас.% йода, и осуществляют его взаимодействие его с 56-64% азотной кислотой при температуре 95-100°С. Через реакционную массу пропускают осушенный инертный газ или воздух при температуре 134-145°С. При использовании загрязненного элементарного фосфора, например в виде отходов фосфорсодержащего производства, его предварительно очищают пропусканием в токе осушенного инертного газа или воздуха. Полученную кислоту охлаждают до 10-16°С и очищают кристаллизацией при 12-22°С в присутствии затравки. Кристаллическую ортофосфорную кислоту растворяют в воде и пропускают через катионообменные сорбенты со скоростью 0,4-1,5 л/час/м2, а затем через пористую фильтрующую мембрану с размером пор 0,1-0,5 мкм при при 1-1,5 атм. Далее кислоту упаривают при температуре 50-70°С и давлении 160-200 мм рт.ст. и повторно кристаллизуют при 10-16°С. Способ позволяет получать ортофосфорную кислоту с содержанием примесей металлов на уровне 10-5-10-6 мас.%. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента