|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОЧИСТКИ ПЯТИОКИСИ ФОСФОРА |  |
Номер публикации патента: 2111917 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C01B025/12 | | Аналоги изобретения: | Журнал прикладной химии, т.41, вып.6. - 1968, с.1316 - 1319. |
| Имя заявителя: | Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра РАН | | Изобретатели: | Локшин Э.П. | | Патентообладатели: | Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к очистке пятиокиси фосфора и может быть использовано при синтезе высокочистых фосфорсодержащих соединений. Сущность изобретения заключается в том, что возгонку фосфора проводят в вакууме при температуре 370 - 400oC, а конденсацию осуществляют либо при температуре не менее 70oС с получением монолитного поликристаллического продукта, либо при температуре менее 70oС с получением порошкообразного продукта. Достигаемый результат заключается в увеличении выхода очищенного продукта и повышении скорости процесса, а также расширении ассортимента получаемого продукта. 2 з.п.ф-лы, 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента