|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО НИТРИДА КРЕМНИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО УГЛЕРОД |  |
Номер публикации патента: 1809585 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C01B021/068 C01B031/36 | | Аналоги изобретения: | T.Hiroi, T.Goto. Praparation ob omorphous SI<SB>3</SB>N<SB>4</SB>-C plate by chemical vapour deposition.J.Mater.Sel. v.16, N 1, 1981, p.17-23. J.Nicke, C.V.Brannmukl. Chemicl Wapor deposition in the system Si-l or Si-C-N.-J. Lescomuon Metal, v.37, 1924, N 3, p.317-319. |
| Имя заявителя: | Институт структурной макрокинетики | | Изобретатели: | Варламов А.Г.
Григорьев Ю.М |
Реферат | |
Использование: волоконная оптика, электроника и химическая промышленность. Сущность изобретения: в реактор подают смесь тетраметилсилана и гидразина при соотношении 0,2 в органо-водородной смеси (соотношение 0,1), что соответствует содержанию углерода 0,1. На подложке, нагретой до 1260oС, осаждается пленка аморфного однородного карбонитрида кремния. Продукт имеет состав, соответствующий формуле: Si0,6N(0,4-x)Cx, где x=0,06-0,16. Скорость травления в HF при комнатной температуре 0,03-0,3 мкм/ч, разложения в вакууме 2000-2500oС, плотность 2,23-2,75 г/см3, удельное злектросопротивление (1-11)·10-9 Ом·см. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента