Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ КОМПОНЕНТ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номер публикации патента: 2152349

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98113647/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C01B009/02    
Аналоги изобретения: САХАРОВ Б.А. Металлургия и технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. База данных CAS on Questel, Лондон: Дервент пабликейшн Лтд, AN 123-352653, v. 123-26, 1995. УГАЙ Я.А. Введение в химию полупроводников. - М.: Высшая школа, 1965, с. 115, 121, 122, 137, 159. 

Имя заявителя: Российский научный центр "Курчатовский институт" 
Изобретатели: Тихомиров А.В. 
Патентообладатели: Российский научный центр "Курчатовский институт" 

Реферат


Изобретение относится к изготовлению материалов для получения стекол, оптических волокон и полупроводников. Исходную смесь, содержащую тетрахлорид кремния или тетрахлорид германия, подвергают изотопному обогащению. Обогащение проводят газовым центрифугированием при 5-45oС. Обогащение ведут по одному из изотопов, например Gе70 или Si28. Введение в известную схему получения чистых хлоридных компонент для оптических или полупроводниковых материалов дополнительной операции изотопного обогащения позволяет получать атомарно однородные хлориды. Это приводит к повышению коэффициента теплопроводности, понижению шумов, увеличению быстродействия полупроводниковых приборов, уменьшению поглощения оптических материалов. Затраты на реализацию способа минимальны, т.к. обогащению подвергают хлориды, используемые в существующей технологии. 3 з.п.ф-лы, 2 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"