|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОЧИСТКИ ДИОКСИДА ТЕЛЛУРА |  |
Номер публикации патента: 2301197 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01B019/00 | | Аналоги изобретения: | SU 1661142 A1, 07.07.1991. SU 776988 A1, 07.11.1980. SU 1491809 A1, 07.07.1989. SU 1747381 A1, 15.07.1992. GB 1343150 A, 10.01.1974. US 3627484 A, 14.12.1971. JP 11-147703 A, 02.06.1999. |
| Имя заявителя: | Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) | | Изобретатели: | Моисеев Александр Николаевич (RU)
Чилясов Алексей Викторович (RU)
Дорофеев Виталий Витальевич (RU)
Чурбанов Михаил Федорович (RU)
Снопатин Геннадий Евгеньевич (RU)
Краев Игорь Александрович (RU)
Пименов Владимир Георгиевич (RU)
Липатова Мария Михайловна (RU) | | Патентообладатели: | Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано для получения диоксида теллура высокой степени чистоты, используемого в производстве теллуритных стекол для волоконной оптики, для выращивания монокристаллов парателлурита. Исходный диоксид теллура прокаливают в вакууме при температуре не менее 550°С в тигле, выполненном из инертного к диоксиду теллура материала, прокаленный диоксид теллура расплавляют, полученный расплав подвергают вакуумной дистилляции при температуре не более 780°С.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента