|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО ДИОКСИДА СЕЛЕНА |  |
Номер публикации патента: 2270166 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01B019/00 | | Аналоги изобретения: | Степанова Н.Д. и др., Окисление ZnSe на воздухе, Неорганические материалы, 1975, Т.11, №6, с.1030. SU 1142443 A, 28.02.1985. AU 2836584 A, 22.11.1984. JP 62007824 A, 14.01.1987. US 4041139 A, 09.08.1977. JP 59104439 A, 16.06.1984-06. |
| Имя заявителя: | Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) (RU) | | Изобретатели: | Девятых Григорий Григорьевич (RU)
Мазавин Сергей Михайлович (RU)
Тихонова Елена Леонидовна (RU)
Караксина Элла Владимировна (RU)
Гаврищук Евгений Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого диоксида селена, который может быть использован в органическом синтезе, а также в полупроводниковой технике. Диоксид селена получают окислением селенида цинка кислородом при атмосферном давлении. Окисление ведут в две стадии одновременно двумя потоками кислорода, при этом на первой стадии окисление селенида цинка ведут потоком кислорода при температуре не ниже 300°С, а на второй - доокисление л
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента