|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СИСТЕМА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗДЕЛИЯ (ВАРИАНТЫ), ВСТРОЕННЫЙ ГЕТТЕРНЫЙ НАСОС И СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗДЕЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2125619 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C23C014/56 F04B037/02 H01L021/00 C01B023/00 | | Аналоги изобретения: | US 3892650 A, 01.07.75. US 4062319, 13.12.77. US 4571158, 18.02.86. US 3780501, 25.12.73. US 5413129, 05.05.95. US 5238469, 24.08.93. WO 95/10369,20.04.95. WO 92/09377, 11.06.92. |
| Имя заявителя: | Саес Пьюе Газ Инк. (US) | | Изобретатели: | Лоример д'Арей Г. (US)
Крюгер Гордон П. (US) | | Патентообладатели: | Саес Пьюе Газ Инк. (US) | | Номер конвенционной заявки: | 08/332564 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия. Система для обработки полупроводниковых изделий, включающая камеру обработки, насос низкого давления, подсоединенный к этой камере для накачки благородных и неблагородных газов, клапанный механизм, соединяющий источник благородного газа с упомянутой камерой, встроенный геттерный насос, установленный внутри камеры, который накачивает определенные неблагородные газы во время подачи благородного газа в упомянутую камеру, а также механизм обработки для обработки полупроводникового изделия, помещенного внутри камеры обработки. Предпочтительнее, чтобы встроенный геттерный насос мог действовать при ряде разных температур для накачки различных образцов газа при этих температурах. Газоанализатор используется для автоматического регулирования температуры геттерного насоса, чтобы регулировать образцы газов, которые подлежат накачке. Способ обработки полупроводникового изделия в соответствии с настоящим изобретением включает операции помещения изделия внутри камеры обработки и герметизации этой камеры внешним насосом низкого давления и встроенным геттерным насосом, находящимся внутри камеры и который накачивает неблагородные газы, а также операцию обработки полупроводникового изделия внутри камеры с одновременной подачей благородного газа. Способ (предпочтительнее) включает также операции слежения и регулирования состава газа внутри камеры и регулирования температуры геттерного материала на основе анализа этого состава. 6 с. и 48 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента