US 2003084839 A1, 08.05.2003. JP 63182297 A, 27.07.1988. JP 60231498 A, 18.11.1985. US 5531184 A, 02.07.1996. ZHANG, Y. et al, Characteristics of diamond crystals deposited on quartz substrates by chemical vapor deposition, "Journal of Crystal Growth", 1996, vol.169, no.4, p.p.722-726.
Имя заявителя:
КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US)
Изобретатели:
ХЕМЛИ Расселл Дж. (US) МАО Хо-Кванг (US) ЯН Чих-Шию (US)
Патентообладатели:
КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US)
Приоритетные данные:
25.05.2005 US 60/684,168
Реферат
Изобретение относится к технологии получения бесцветного (то есть прозрачного для УФ-, видимого и ИК-излучения) монокристаллического алмаза с высокой скоростью роста. Способ включает регулирование температуры поверхности роста алмаза так, чтобы все градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали примерно 20°С, и выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% CH4 на единицу H2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4. Способом, являющимся объектом настоящего изобретения, могут быть получены алмазы крупнее 10 карат. При использовании данного способа скорость роста может быть более 100 мкм/ч. 3 н. и 26 з.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента