Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ОДНОРОДНОГО НАНОСЛОЯ В ИНФРАКРАСНОМ ИЗЛУЧЕНИИ

Номер публикации патента: 2470257

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2012106057/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01B011/06   G01B009/02   B82Y035/00    
Аналоги изобретения: ЖИЖИН Г.Н. НИКИТИН А.К. и др. Поглощение поверхностных плазмонов терагерцового диапазона в структуре "металл - покровный слой - воздух". Оптика и спектроскопия, 2006, т.100, 5, с.798-802. RU 2318192 C1, 27.02.2008. US 2005025676 A1, 03.02.2005. US 2008030738 A1, 07.02.2008. SU 1037065 A1, 23.08.1983. KR 20040094582, A 10.11.2004. 

Имя заявителя: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU) 
Изобретатели: Никитин Алексей Константинович (RU)
Кирьянов Анатолий Павлович (RU)
Жижин Герман Николаевич (RU)
Чудинова Галина Константиновна (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU) 

Реферат


Способ включает нанесение слоя на подложку, способную направлять поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), воздействие зондирующим излучением на подложку, преобразование излучения в ПЭВ, регистрацию изменений ПЭВ в результате пробега ей макроскопического расстояния х, расчет толщины слоя по результатам измерений и значениям оптических постоянных вещества слоя и материала подложки. ПЭВ преобразуют в объемную волну, совмещают пучок зондирующего излучения и объемную волну, регистрируют результирующую интенсивность интерферирующих волн до и после пробега ПЭВ расстояния х и рассчитывают толщину нанослоя с учетом приращения фазы ПЭВ на расстоянии х. Технический результат изобретения заключается в повышении точности определения толщины однородного нанослоя в ИК-излучении. 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"