Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МАГНИТНЫЙ, ТЕЛЛУРСОДЕРЖАЩИЙ ХАЛЬКОГЕНИД МАРГАНЦА С ГИГАНТСКИМ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕМ

Номер публикации патента: 2454370

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010146625/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C01G045/00   C01B019/00   G11B005/39   B82Y025/00    
Аналоги изобретения: ЯНУШКЕВИЧ К.И., Твердые растворы монохалькогенидов 3d-металлов, Минск, Вараксин А.Н., 2009. RU 2256618 С1, 20.07.2005. RU 2324656 С2, 20.05.2008. US 20080265255 А1, 30.10.2008. US 5792718 А, 11.08.1998. CN 1409416 А, 09.04.2003. 

Имя заявителя: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН) (RU) 
Изобретатели: Романова Оксана Борисовна (RU)
Аплеснин Сергей Степанович (RU)
Янушкевич Казимир Иосифович (BY)
Демиденко Ольга Фёдоровна (BY) 
Патентообладатели: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН) (RU) 

Реферат


Изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Магнитный теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением MnSe1-xTex, в котором Х=0,1; 0,2, 0,4, включает марганец, селен и теллур при следующем соотношении компонентов соответственно, масс.%: марганец 50, 50, 50; селен 45, 40, 30; теллур 5, 10, 20. Изобретение позволяет разрабатывать на основе теллурсодержащего халькогенида марганца элементы миктоэлектроники, устойчивые к радиации и способные работать в экстремальных условиях, снизить затраты на изготовление материалов. 3 ил., 2 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"