US 20020074537 A1, 20.06.2002. US 20060137601 A1, 29.06.2006. US 20090236614 A1, 24.09.2009. US 7655376 B2, 02.02.2010. US 20100255192 A1, 07.10.2010. RU 2421551 С1, 20.06.2011.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (RU)
Изобретатели:
Шахнов Вадим Анатольевич (RU) Панфилов Юрий Васильевич (RU) Булыгина Екатерина Вадимовна (RU) Моисеев Константин Михайлович (RU) Янович Сергей Владиславович (RU) Беседина Ксения Николаевна (RU) Власов Андрей Игоревич (RU) Токарев Сергей Владимирович (RU) Якимец Дмитрий Вадимович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (RU)
Реферат
Способ может быть использован при создании датчиков температуры для оптоэлектронных систем. Способ включает внедрение материала с изменяемыми посредством внешней температуры свойствами в структуру опала, полученную путем вытравливания коллоидных частиц, формирующих кристаллическую решетку фотонного кристалла с внедренным опалом, внедрение которого проводят методом инфильтрации прекурсора оксида опала. Начальная структура для фотонного кристалла образована частицами полистирола методом осаждения на плоскую подложку. Инфильтрацию прекурсора оксида опала в начальную структуру опала проводят при давлении от 1,2 до 1,5 раз выше атмосферного и температуре от 60 до 80°С. В качестве внедряемого материала используют мезоморфное вещество, представляющее собой холестерический жидкий кристалл, внедрение которого проводят пропиткой при температуре, большей температуры перехода жидкого кристалла в изотропное состояние (от 70°С), и при давлении от 150 до 200 кПа, с окончательной операцией нанесения на поверхность фотонного кристалла слоя металла толщиной от 150 до 300 нм методом магнетронного распыления со скоростью от 20 до 40 нм/мин для улучшения стабильности структуры в случае нагрева. Технический результат - получение нанокомпозиционных фотонных кристаллов на основе опала с фотонной запрещенной зоной, управляемой посредством изменения температуры окружающей среды. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента