|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЕРТИКАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ЕЕ ФОРМИРОВАНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2338683 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B82B003/00 B82B001/00 | | Аналоги изобретения: | US 2003/132461 A1, 17.07.2003. US 2002/0001905 A1, 03.01.2002. RU 2173003 C2, 27.08.2001. US 6423583 B1, 23.07.2002. US 5796573 A, 18.08.1998. EP 1361608 A2, 12.11.2003. |
| Имя заявителя: | ИНТЕРНЭШНЛ БИЗНЕС МАШИНЗ КОРПОРЕЙШН (US) | | Изобретатели: | ФУРУКАВА Тошихару (US)
ХЕЙКИ Марк Чарлз (US)
ХОЛМС Стивен Джон (US)
ХОРАК Дейвид Вацлав (US)
МИТЧЕЛЛ Питер (US)
НЕСБИТ Ларри Алан (US) | | Патентообладатели: | ИНТЕРНЭШНЛ БИЗНЕС МАШИНЗ КОРПОРЕЙШН (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к полевым транзисторам с вертикальным каналом, канальная область у которых образована по меньшей мере одной полупроводниковой нанотрубкой. Сущность изобретения: вертикальная структура полупроводникового устройства включает подложку, образующую в основном горизонтальную плоскость, электрод затвора, имеющий вертикальную боковую стенку и выступающий в вертикальном направлении от подложки, прокладку, расположенную сбоку от вертикальной боковой стенки, полупроводниковую нанотрубк
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента