

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И - НЕ НА ОСНОВЕ СЛОИСТОЙ ТРЕХМЕРНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ

Номер публикации патента: 2452058

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010119061/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L027/04 B82B001/00
Аналоги изобретения:	RU 2094910 C1, 27.10.1997. RU 2073935 C1, 20.02.1997. RU 2019893 C1, 15.09.1994. JP 61269356 A, 28.11.1986.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Изобретатели:	Воробьев Виталий Владимирович (RU) Соснин Алексей Анатольевич (RU) Трубочкина Надежда Константиновна (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что в интегральном логическом элементе И-НЕ на основе слоистой трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, первый и второй инжектирующие транзисторы и подложку, логическая структура выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем. Технический результат - повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности. 18 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"