Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Изобретатели:
Касаткин Сергей Иванович (RU) Муравьев Андрей Михайлович (RU) Амеличев Владимир Викторович (RU) Гамарц Илья Андреевич (RU) Поломошнов Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для измерения магнитного поля в измерительных комплексах, научном и медицинском приборостроении, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий, вирусов, токсинов и ДНК). Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с осью легкого намагничивания вдоль длины тонкопленочной магниторезистивной полоски, между которыми расположен разделительный слой, поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждой полоски, второй изолирующий слой, и защитный слой, на всей поверхности проводника управления расположена магнитожесткая пленка, причем ее коэрцитивная сила не менее чем втрое превышает поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки, а векторы намагниченности магнитожесткой пленки в соседних плечах мостовой схемы направлены перпендикулярно оси легкого намагничивания антипараллельно друг другу. В предлагаемом магниторезистивном датчике многократно уменьшен ток в проводнике управления, что существенно улучшает его технические характеристики за счет уменьшения потребляемой мощности и нагрева, а также возможности использования такого магниторезистивного датчика в линейке или матрице датчиков. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента