Микроэлектронные устройства СВЧ. - М.: Высшая школа, 1988, с.82. RU 2206187 С1, 10.06.2003. RU 2309489 С2, 27.10.2007. TW 241065 В, 01.10.2005. US 4621244 А, 04.11.1986. ЕР 1544941 А1, 22.06.2005.
Имя заявителя:
Афанасьев Михаил Сергеевич (RU), Ильин Евгений Михайлович (RU)
Изобретатели:
Афанасьев Михаил Сергеевич (RU) Ильин Евгений Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Афанасьев Михаил Сергеевич (RU) Ильин Евгений Михайлович (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования. Техническим результатом является увеличение развязки между каналами, быстродействие, снижение потерь и габаритов. Коммутатор содержит трехпроводную компланарную микрополосковую линию (МПЛ) толщиной от 10 нм до 100 нм, имеющую разрывы от 0.1 мкм до 0.2 мкм и нанесенную на мембрану из алмазной пленки толщиной от 300 нм до 500 нм. В область разомкнутых отрезков введены источники УФ-излучения. Структура нанесена на диэлектрическую подложку, снабженную управляющим элементом сверхбольшой интегральной схемы (СБИС). Электрическое соединение (коммутация) через разрыв МПЛ осуществляется следующим образом: при воздействии УФ-излучения, направленного на алмазный материал и локализованного в область разрыва токонесущих проводников МПЛ-состояние включено (ВКЛ), алмазный материал приобретает металлическую проводимость и электрически соединяет токонесущие проводники МПЛ. Электрическое разъединение токонесущих проводников МПЛ происходит при отсутствии воздействия УФ-излучения состояние выключено (ВЫКЛ). Переключение СВЧ-сигналов с входа на один или несколько выходов или с нескольких выходов на вход осуществляется с помощью УФ-излучателей, расположенных в разрывах МПЛ, при этом количество УФ-излучателей должно соответствовать количеству разрывов МПЛ. 7 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента