SU 746219, 05.07.1980. RU 2028588 C1, 09.02.1995. RU 2028584 C1, 09.02.1995. RU 2092801 C1, 10.10.1997. EP 0348658 A2, 03.01.1990.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)
Изобретатели:
Васильев Валерий Анатольевич (RU) Громков Николай Валентинович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в условиях воздействия температур измеряемой среды как в системах автоматического контроля, так и в цифровых приборах специального и универсального назначения. Техническим результатом изобретения является повышение точности преобразования сигнала разбаланса тензомоста датчика за счет уменьшения температурной погрешности путем размещения резистора интегратора на недеформируемой части чувствительного элемента и выполнения его из того же материала, что и тензорезисторы, за счет введения второго компаратора и трех дополнительных резисторов. Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом содержит тензорезисторный датчик, установленную в нем НиМЭМС с упругим элементом в виде мембраны с основанием, сформированную на ней гетерогенную структуру, в которой образованы тензорезисторы, объединенные в тензомост, частотный преобразователь сигнала с выхода тензомоста, содержащий компаратор и интегратор, выполненный на операционном усилителе с первым конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, выход которого подключен к первому входу первого компаратора, инвертирующий вход операционного усилителя интегратора через второй конденсатор соединен с первой вершиной диагонали питания тензомоста и через резистор интегратора с одной из вершин измерительной диагонали тензомоста, а ее другая вершина подключена к неинвертирующему входу операционного усилителя интегратора. Резистор интегратора выполнен из того же материала, что и тензорезисторы тензомоста датчика, установленный за периферией мембраны на ее основании. Введены три дополнительных резистора и второй компаратор. При этом указанные выше элементы соединены по соответствующей схеме. 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента