Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Изобретатели:
Касаткин Сергей Иванович (RU) Муравьев Андрей Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. В магниторезистивном пороговом наноэлементе, содержащем подложку с расположенным на ней первым изолирующим слоем, на котором расположена остроконечная многослойная магниторезистивная полоска, содержащая первый защитный слой, первую магнитомягкую пленку с осью легкого намагничивания, направленной вдоль длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, разделительный немагнитный слой поверх первой магнитомягкой пленки, на котором расположены вторая магнитомягкая пленка с осью легкого намагничивания, направленной вдоль длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, и второй защитный слой, поверх которого находится второй изолирующий слой с нанесенным на него проводником управления, рабочая часть которого расположена поперек длинной стороны остроконечной многослойной магниторезистивной полоски, и третий изолирующий слой между второй магнитомягкой пленкой и вторым защитным слоем расположен полупроводниковый слой. Разделительный немагнитный слой имеет толщину, достаточную для устранения обменного взаимодействия между первой и второй магнитомягкими пленками. Изобретение обеспечивает создание магниторезистивного порогового наноэлемента на основе магнитополупроводниковой наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, работающего на новом принципе действия при небольших магнитных полях, и обладающей малыми токами управления. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента