Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Способ относится к технологии микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использован для формирования мембран при изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей. Сущность изобретения: в способе формирования висящих конструкций на подложку осаждают жертвенный слой аморфного кремния 0,3-1,2 мкм и функциональные слои. Затем литографически формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев размером от 40 мкм × 40 мкм до 100 мкм × 100 мкм. Газофазным травлением удаляют жертвенный слой в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. Травление проводят при низком общем давлении, начиная со значения (0,007 Торр), соответствующего минимальному, препятствующему разогреву и деформации формируемой висящей конструкции, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до верхнего предельного значения (0,4 Торр), обеспечивающего поддержание постоянной скорости травления и отсутствие диффузионных ограничений. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона - порошкообразный реагент. Травление ведут при механическом перемешивании реагента, смешанного с твердыми, более массивными, чем дифторид ксенона, частицами из инертного материала. Способ обеспечивает за счет снижения скорости травления улучшение плоскостности висящих элементов, повышение воспроизводимости процесса травления и процента выхода годных изделий 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента