RU 2212671 C1, 20.09.2003. US 5596194 A, 21.01.1997. JP 2001108605 A, 20.04.2001. US 2004/0150413 A1, 05.08.2004. JP 7-21968 A, 24.01.1995.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский физико-химический институт имени Л.Я. Карпова" (RU)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский физико-химический институт имени Л.Я. Карпова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области технологии изготовления микроэлектронных и микромеханических устройств и может быть использовано при изготовлении сенсоров, функционирующих на основе туннельного эффекта и обеспечивающих преобразование «перемещение - электрический сигнал». Технический результат: повышение воспроизводимости и технологичности изделия. Сущность: на диэлектрической или полупроводниковой подложке с диэлектрическим слоем формируют систему металлизации, состоящую из нижнего электрода системы электростатического управления, контактных площадок, системы электрической разводки. Затем на полученную структуру наносят «жертвенный» технологический слой и формируют в нем последовательно отверстие для опоры кантилевера и конусообразное отверстие для туннельного электрода. Наносят слой фоточувствительного композиционного материала из полимерной матрицы с наполнителем в виде электропроводящих порошков наночастиц. Проводят литографию и термообработку слоя композиционного материала для получения частично заполненной композиционным материалом вершины конуса отверстия для туннельного электрода. Затем формируют кантилевер, инерционную массу и удаляют «жертвенный» слой с частичным травлением полимерной матрицы композиционного материала для освобождения поверхности наночастиц, формируя туннельный электрод. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента