Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО - И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ

Номер публикации патента: 2397461

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009122121/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04   B81B007/02    
Аналоги изобретения: SU 746219 A1, 05.07.1980. RU 2028588 C1, 09.02.1995. RU 2028584 C1, 09.02.1995. RU 2092801 C1, 10.10.1997. EP 0348658 A2, 03.01.1990. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU) 
Изобретатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Белозубова Нина Евгеньевна (RU)
Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Васильева Светлана Александровна (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначен для использования в различных областях науки, связанных с измерением давления в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности измерения в условиях воздействия нестационарной температуры окружающей среды и повышенных виброускорений за счет уменьшения различия температур тензоразисторов и термоэлектрических неоднородностей путем уменьшения расстояния и повышения теплопроводности между ними. Тензорезисторный датчик давления содержит корпус, круглую мембрану с периферийным основанием, соединенные тонкопленочными перемычками из низкоомного материала и включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста окружные и радиальные тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества, имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны. Выводные проводники соединяют тензорезисторы с гермовыводами. Тонкопленочные перемычки, которыми соединены тензоэлементы окружных и радиальных тензорезисторов, частично замкнуты дополнительными перемычками. Диаметр мембраны и расстояния между гермовыводами выполнены минимально возможными. Гермовыводы или их части, непосредственно контактирующие с выводными проводниками и проводами, выполнены из материалов, которые имеют минимально возможную разность коэффициентов термоэдс с материалами выводных проводников и проводами. Мембрана, периферийное основание, корпус, выводные проводники, гермовыводы, провода или их части, расположенные симметрично их продольным осям, выполнены из материалов с максимально возможным высоким коэффициентом теплопроводности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"