RU 2317940 С1, 27.02.2008. WO 2008057121 A2, 15.05.2008. US 2008202930 A1, 28.08.2008. US 2006102494 A1, 18.05.2006. GB 2436695 A, 03.10.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники (технический университет)" (RU), Общество с ограниченной ответственностью "Наносенсор" (RU)
Изобретатели:
Бобринецкий Иван Иванович (RU) Неволин Владимир Кириллович (RU) Горшков Константин Викторович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники (технический университет)" (RU) Общество с ограниченной ответственностью "Наносенсор" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области сенсорных элементов, а точнее к датчикам газового состава атмосферы. Сущность изобретения: в сенсорной структуре на основе квазиодномерных проводников, включающей основание, расположенные на нем наноструктуры, обладающие баллистической проводимостью, и электроды к ним, наноструктуры выполнены в виде нанотрубок или графенов или металлических или молекулярных проводов, обладающих баллистической проводимостью. Изобретение позволяет детектировать присутствие химически активного вещества в окружающей атмосфере на уровне одной молекулы. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента