

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД

Номер публикации патента: 2412898

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010105333/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	B81B001/00 H01L029/861
Аналоги изобретения:	RU 2372691 C1, 10.11.2009. RU 2372692 C1, 10.11.2009. RU 2372693 C1, 10.11.2009. RU 2372694 C1, 10.11.2009. US 6229153 B1, 08.05.2001. US 5723872 A, 03.03.1998. US 5389798 A, 14.02.1995. JP 61176163 A, 07.08.1986.

Имя заявителя:	Федоров Игорь Борисович (RU), Шашурин Василий Дмитриевич (RU), Нарайкин Олег Степанович (RU), Иванов Юрий Александрович (RU), Мешков Сергей Анатольевич (RU), Федоренко Иван Александрович (RU), Башков Валерий Михайлович (RU), Федоркова Нина Валентиновна (RU), Синякин Владимир Юрьевич (RU)
Изобретатели:	Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Нарайкин Олег Степанович (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU) Синякин Владимир Юрьевич (RU)
Патентообладатели:	Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Нарайкин Олег Степанович (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU) Синякин Владимир Юрьевич (RU)

Реферат

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×10¹⁸

1×10¹⁹ 1/см³, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-yAs, где y - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,91

12,44 нм, выполненной из GaAs, отношение молярных долей Аl слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,6

2,5. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 5

10 раз при амплитуде входного переменного напряжения U_ВХ

0,2 В. 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"