SU 1385438 A1, 27.07.2000. RU 2132467 C1, 27.06.1999. RU 2085457 C1, 27.07.1997. SU 1041438 A1, 15.09.1983. US 3379260 A, 23.04.1968.
Имя заявителя:
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ГАЗПРОМ ПХГ" (ООО "Газпром ПХГ") (RU)
Изобретатели:
Каримов Марат Фазылович (RU) Аглиуллин Марс Хасанович (RU) Арутюнов Артем Ервандович (RU) Енгибарян Аркадий Арменович (RU) Исламов Ринат Асхатович (RU) Муллагалиева Ляля Махмутовна (RU) Киссер Александр Иванович (RU) Требина Диана Артемовна (RU) Халиуллин Ришат Мирзаянович (RU) Хан Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ГАЗПРОМ ПХГ" (ООО "Газпром ПХГ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам создания малопроницаемого экрана в пористой среде в изолируемой зоне пласта при хранении газа в подземном хранилище. Технический результат: повышение надежности эксплуатационных характеристик экрана, снижение расхода пенообразователя и количества газа, используемых для пенообразования, а также затрат на бурение скважин. Сущность изобретения: производят проводку нагнетательной скважины в изолируемой зоне по траектории, сходной с конфигурацией кровли изолируемой зоны пласта. Затем закачивают в нее раствор пенообразователя с последующей подачей газа для пенообразования. Определяют минимальный горизонтальный поперечный размер экрана из условий фильтрации через экран газа и/или воды с учетом градиента давления на границах экрана за период, равный периоду максимальной закачки в хранилище газа или максимально допустимого отбора газа из данного хранилища. Минимальный вертикальный размер экрана принимают равным величине, составляющей не менее максимального расстояния от кровли пласта до газоводяного контакта в зоне создания экрана. Предпочтительно производят проводку нагнетательной скважины, траектория которой нормальна к вектору средней скорости пластового флюида в изолируемой зоне пласта. Предпочтительно также производят проводку наклонно направленной и/или горизонтальной нагнетательной скважины. 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента