|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАТРАВОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 1786762 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | B28D005/02 | | Аналоги изобретения: | Технологический процесс ЕТО 035.583.Т.П. "Выращивание монокристаллического сапфира", НИИ материаловедения, 1983. |
| Имя заявителя: | Киргизский горно-металлургический комбинат | | Изобретатели: | Беляева А.Л.
Беляев А.Н.
Кудин А.В.
Назаркин В.Н. | | Патентообладатели: | Беляева Александра Леонидовна
Закоморный Анатолий Григорьевич
Беляев Александр Николаев |
Реферат | |
Использование: выращивание полупроводниковых монокристаллов. Сущность изобретения: на поверхности слитка определяют нахождение заданной кристаллографической плоскости, следы не менее двух плоскостей, параллельных заданному направлению. Затем устанавливают плоскость режущего инструмента по следам указанных плоскостей, определяют плоскости, параллельные заданному направлению не менее чем в двух точках каждой определяемой плоскости слитка. При этом слиток вращают вокруг точки, высвеченной рентгеновским лучом, обеспечивая постоянство точки высвечивания. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента