ЗАПОРОЖСКИЙ В.П. и др. Обработка полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1988, с.86-95. SU 459817 А, 31.03.1975. RU 2226183 С2, 27.03.2004. JP 03-205846 A, 09.09.1991. US 5961852 A, 05.10.1999.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Изобретатели:
Жуков Юрий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам разделения на кристаллы полупроводниковых пластин с двухсторонним тонкопленочным покрытием, и может быть использовано при получении кристаллов термодатчиков и термометров. Способ включает формирование рисок алмазным лезвийным инструментом на поверхности пластины и разделение путем изгиба пластины. При этом риски формируют на обеих сторонах пластины. Риски, располагаемые на растягиваемой при разделении стороне пластины, формируют на глубину 1,1÷1,3 от толщины покрытия, а на сжимаемой стороне - на глубину 2,5÷3,0 от толщины покрытия. Технический результат - повышение надежности разделения и увеличение выхода годных кристаллов. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента