RU 2165837 C1, 27.04.2001. SU 770754 A1, 15.10.1980. US 3704556 A, 23.02.1982.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный горный университет (МГГУ) (RU), Гридин Олег Михайлович (RU), Теплова Татьяна Борисовна (RU)
Изобретатели:
Гридин Олег Михайлович (RU) Теплова Татьяна Борисовна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный горный университет (МГГУ) (RU) Гридин Олег Михайлович (RU) Теплова Татьяна Борисовна (RU)
Реферат
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для шлифования изделий из сверхтвердых и хрупких материалов с твердостью выше 8 по шкале Мооса, например: алмазов, лейкосапфира, керамики, твердых ювелирных камней, оптических, микроэлектронных материалов. Определяют удельную энергию хрупкого разрушения материала Wxp, удельную энергию начала движения дислокации Wдис в материале изделия и удельную энергию шлифования W. Значения последней поддерживают в интервале между величинами энергии хрупкого разрушения и энергии начала движения дислокации в соответствии с условием: . Удельную энергию шлифования определяют по параметрам шлифовального инструмента и изделия, усилию прижима, динамическому коэффициенту трения и времени контакта между шлифовальным инструментом и обрабатываемым изделием и регулируют ее путем изменения параметров шлифования и применения внешних физических полей. В результате повышается производительность шлифования и обеспечивается качество обрабатываемой поверхности на нанометровом уровне. 5 з.п. ф-лы, 2 ил, 1 табл.