US 5529051 А, 25.06.1996. DD 254103 A3, 17.02.1984. EP 0962284 A1, 08.12.1999. SU 1816814 A1, 23.05.1993.
Имя заявителя:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Изобретатели:
ТАНИКЕЛЛА Брахманандам В. (US) АРКОНА Кристофер (US) ГИНДХАРТ Девид И. (US) ДЖОНС Кристофер Д. (US) СИМПСОН Мэтью А. (US)
Патентообладатели:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
25.06.2007 US 60/946,104 20.09.2007 US 60/974,008
Реферат
Изобретение относится к монокристаллическим подложкам и способам отделки таких подложек. Техническим результатом является получение высококачественных подложек большего размера. Способ изменения кристаллографической ориентации монокристаллического тела включает этапы определения параметров кристаллографической ориентации монокристаллического тела и расчет угла разориентации между выбранным кристаллографическим направлением монокристаллического тела и проекцией кристаллографического направления вдоль плоскости первой внешней главной поверхности монокристаллического тела. Способ далее включает удаление материала, по меньшей мере, с части первой внешней главной поверхности для изменения угла разориентации. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.