|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОРТИРОВКИ ПРИРОДНЫХ КРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА |  |
Номер публикации патента: 2165804 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B07C005/342 | | Аналоги изобретения: | N.A.Tatyanina, et al, The influence of discontinuities of the subsurface layer of natural diamonds of Ila and intermediate types on the lifetime of nonequilibrium charge carriers. International Conference EMRS, Strasbourg, France, November 27, 1990, p. 29. RU 2004356 C1, 15.12.1993. SU 995029 A, 07.02.1983. US 3747755 A, 24.07.1973. US 4887721 A, 19.12.1989. US 3890221 A, 17.06.1975. |
| Имя заявителя: | ЗАО "Техномаш МТ" | | Изобретатели: | Татьянина Н.А.
Алтухов А.А.
Зезин Р.Б.
Кулаков В.М.
Стельмах В.Ф.
Зайцев А.М.
Захаров А.Г.
Мельников А.А. | | Патентообладатели: | ЗАО "Техномаш МТ" |
Реферат | |
Изобретение относится к области сортировки природных алмазов с пониженным содержанием азота и может быть использовано для отбора целых кристаллов и пластин из них, пригодных при создании активных и пассивных элементов полупроводниковых приборов микроэлектроники, с обеспечением повышения выхода годных природных алмазов при создании на их основе однородных по электрофизическим характеристикам полупроводниковых структур по всему объему кристаллов или пластин, а также полупроводниковых структур в приповерхностном слое. Способ сортировки природных кристаллов алмаза включает освещение кристалла плоскополяризованным светом в диапазоне длин волн 400-800 нм, измерение с помощью поляризационного микроскопа с фотометрическим устройством яркости интерференционной окраски в положении скрещенных николей в проходящем свете, определение удельной оптической анизотропии каждого алмаза Р, помещение кристалла в резонаторную камеру СВЧ-установки, облучение источником излучения, определение интенсивности сигнала СВЧ-фотопроводимости алмаза, сопоставление этих двух измерений и отбор кристаллов. Перед помещением кристалла в резонаторную камеру СВЧ-установки измеряют яркость интерференционной окраски, определяют удельную оптическую анизотропию Р в относительных единицах путем сравнения с эталонным образцом, где Рэт-t равна 1 отн. ед., при яркости интерференционной окраски 0,1 - 10-4 кд/м2, с последующим отбором кристаллов с Р, меньшей или равной 6 отн.ед., измеряют интенсивность сигнала Jmax СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 245-195 нм, приведенной к коэффициенту усиления К и площади S измеряемой поверхности кристалла и определяют Jсвч = Jmax /KS, отбирают кристаллы с интенсивностью сигнала Jсвч, большей или равной интенсивности сигнала эталонного образца Jэт-2, где Jэт-2- максимальное значение для эталонного образца с Рэт-2, равной 6 отн.ед. Кроме того, дополнительно отбирают алмазы с Р, меньшей или равной 300 отн.ед., повторно помещают в резонаторную камеру СВЧ-установки, измеряют интенсивность сигнала СВЧ-фотопроводимости не менее чем на двух поверхностях кристалла или пластины, отбирают поверхность с наибольшим значением Jсвч и маркируют другие поверхности как непригодные. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента