На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ СУШКИ ЗАЩИТНОГО ПОЛИМЕРНОГО ПОКРЫТИЯ, НАНЕСЕННОГО НА ПОВЕРХНОСТЬ ИЗДЕЛИЯ ИЗ РАСТВОРА, И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | |
Номер публикации патента: 2077959 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | B05D003/02 B29C071/02 F26B009/06 | Аналоги изобретения: | Лаврищев В.П., Перемыщев В.А. Изучение механизма удавления растворителя из пленки фоторезиста. - Электронная техника, вып.5 (53), 1975, с.58 - 65. Ануфриенко В.В. и др. Агрегат формирования фоторезистивных покрытий АФФ-2. - Электронная промышленность, N 5 (77), 1979, с.50 - 52. |
Имя заявителя: | Научно-производственная фирма Акционерное общество закрытого типа "Технология, оборудование, материалы" | Изобретатели: | Перемыщев В.А. | Патентообладатели: | Научно-производственная фирма Акционерное общество закрытого типа "Технология, оборудование, материалы" | Номер конвенционной заявки: | SU 91/00088 | Страна приоритета: | RU |
Реферат | |
Использование: изобретение предназначено для сушки защитного полимерного покрытия, получаемого нанесением раствора на поверхность изделия, и может быть использовано в электротехнике и микроэлектронике. Сущность изобретения: избыточное давление, достаточное для подавления процесса развития микротрещин в покрытии, ухудшающих его свойства, создают на этапе выдерживания полимерного покрытия в диапазоне температур технологического помещения. Это давление поддерживают и на этапе охлаждения покрытия до достижения им температуры, при которой в условиях атмосферного давления устраняется процесс развития микротрещин в покрытии, ухудшающих защитные свойства покрытия. Устройство для сушки покрытия содержит последовательно расположенные и сообщенные между собой через люки 4, 15 камеру 1 для сушки покрытия при температуре технологического помещения, высокотемпературную камеру 13 и камеру 25 для охлаждения. Камеры выполнены герметичными и подсоединены к магистрали 8 высокого давления. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
|