RU 2132236 C1, 27.06.1999. SU 451465 А, 30.11.1974. RU 2353578 С1, 27.04.2009. RU 2131779 С1, 20.06.1999. RU 2042430 С1, 27.08.1995. RU 2385299 С1, 27.03.2010. US 4804422 А, 14.02.1989. DE 4123287 C2, 30.11.1995. ВЕТОШКИН В.М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных процессов обработки кварца, 30.11.2009 [найдено30.11.2010]. Найдено из Интернет:<http://elibrary.udsu.ru/xmlui/handle/123456789/4222>. КРАЛЬКИНА Е.А. Индуктивный высокочастотный разряд низкого давления и возможности оптимизации источников плазмы на его основе. Успехи физических наук, том 178, 5, 2009, с.519-540.
Имя заявителя:
Гоптарь Александр Иванович (RU), Воробьев Владимир Васильевич (RU), Митрофанов Анатолий Дмитриевич (RU)
Изобретатели:
Гоптарь Александр Иванович (RU) Воробьев Владимир Васильевич (RU) Митрофанов Анатолий Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Гоптарь Александр Иванович (RU) Воробьев Владимир Васильевич (RU) Митрофанов Анатолий Дмитриевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к области обогащения (очистки от химических примесей) кварцевого сырья, в частности к обогащению кварцевых частиц размером 0,75÷0,03 мм, и может быть использовано для обогащения зернистых минералов. Способ обогащения кварцевого сырья включает получение кварцевых частиц, проведение магнитной сепарации для выделения немагнитной фракции с ее последующей плазменной обработкой. Обработку немагнитной фракции кварцевых частиц проводят неравновесной низкотемпературной плазмой хладонов, образованной в диапазоне среднего вакуума гибридным высокочастотным индукционным и высокочастотным емкостным разрядами при непрерывной вибрации кварцевых частиц с частотой 0,3÷3,6 кГц. Технический результат - повышение уровня обогащения кварцевого сырья, удовлетворяющего промышленному спросу при одновременном снижении энергозатрат, материалоемкости и создании высоко экологически чистого производства, а также повышение производительности способа обогащения путем плазменного травления кварцевых частиц. 3 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента