|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ МИКРОЛЕПТОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМ НА ВЕЩЕСТВА И МАТЕРИАЛЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2135276 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | B01J019/08 G01V009/00 G01V005/00 | | Аналоги изобретения: | SU 161088 A, 09.03.64. SU 247410 A1, 27.09.96. Охатрин А.Ф. Макрокластеры и сверхлегкие частицы - Доклады АН СССР, 1989, т.304, N 4, с.866 - 869. Ковалев Р.П. Микролептонные технологии - в практику конструирования - Самолет, 1997, N 1, с.20 - 23. |
| Имя заявителя: | Машошин Игорь Федорович (RU) | | Изобретатели: | Машошин И.Ф.(RU)
Охатрин А.Ф.(RU)
Машошин Ю.Ф.(RU)
Зубов Д.Л.(RU)
Эглофф Эдвард (CH) | | Патентообладатели: | Машошин Игорь Федорович (RU)
Машошин Юрий Федорович (RU) |
Реферат | |
Использование: в области физики взаимодействия тонких энергий при создании микролептонного излучения и обработки им веществ и материалов для изменения их физико-химических свойств, стимулирования производительности нефтяных скважин и уменьшения энергозатрат на добычу нефти. Сущность изобретения: создают в замкнутом объеме с помощью дроссельного генератора кавитационный поток рабочего агента, на который накладывают вибрационное и ультразвуковое и/или электронное/электромагнитное поля. обеспечивающие возникновение возбужденного микролептонного поля. Возбужденными микролептонами воздействуют на обрабатываемые вещества и материалы, обеспечивая возникновение в них продольных волн со скоростью 15 - 20 км/ч. Устройство снабжено генератором ультразвуковых колебаний, выполненным в виде вращаемого ротора, закрепленного на валу, и двух сепараторов, неподвижно установленных в обойме, дроссельным генератором, выполненным в виде неподвижного диска из полимера с центральным калиброванным отверстием и мембраной. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента