|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ АСИММЕТРИЧНО ЗОНАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА |  |
Номер публикации патента: 2176690 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/04 B01J003/06 | | Аналоги изобретения: | RU 2128548 C1, 10.04.1999. RU 2071823 C1, 20.01.1997. SU 661963 A1, 23.08.1991. SU 1316124 A1, 07.10.1991. WO 94/21370 A1, 29.09.1994. ПАЛЬЯНОВ Ю.Н. и др. Выращивание крупных кристаллов алмаза на беспрессовых аппаратах типа "разрезная сфера" ДАН СССР. Т. 315, №5, с. 1222. |
| Имя заявителя: | Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН | | Изобретатели: | Чепуров А.И.
Федоров И.И.
Сонин В.М.
Багрянцев Д.Г.
Чепуров А.А.
Жимулев Е.И.
Григораш Ю.М. | | Патентообладатели: | Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН
ООО "МАИН" |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС" для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента. Сущность изобретения: реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, выполненными разной толщины, причем диаметр верхнего стержня на 20-25% меньше диаметра нижнего, запирающие ячейку таблетки и внутреннюю изолирующую втулку, в полости которой в наиболее горячей зоне размещен источник углерода и металлорастворитель, причем источник углерода выполнен в виде кольца, у которого внутренний диаметр равен 1/2-1/3 внешнего диаметра. В холодной зоне полости изолирующей втулки расположена подложка, на выступе которой со смещением на 1/3-2/3 диаметра подложки от ее центра расположен кристалл алмаза. Изолирующая внутренняя втулка выполнена из смеси оксидов циркония, магния и хлорида цезия при следующем соотношении компонентов, вес.% Zr02 60-70; Mg0 10-15; CsCl 15-30. Изобретение обеспечивает получение асимметрично зональных кристаллов алмаза весом более 1 карата, у которых дефектная часть локализована с одного края. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента