WO 03064021 A1, 07.08.2003. US 2004134415 A1, 15.07.2004. WO 0124921 A1, 12.04.2001. WO 2004071649 A1, 26.08.2004. SU 380343 A1, 15.05.1973. JP 2004-043265, 12.02.2004.
Имя заявителя:
ДЖЕНЕРАЛ ЭЛЕКТРИК КОМПАНИ (US)
Изобретатели:
Д`ЭВЕЛИН Марк Филип (US) ГИДДИНГС Роберт Артур (US) ШАРИФИ Фред (US) ДЕЙ Субхраджит (IN) ХУН Хойцун (US) КАПП Джозеф Александр (US) КХАР Ашок Кумар (US)
Патентообладатели:
ДЖЕНЕРАЛ ЭЛЕКТРИК КОМПАНИ (US)
Приоритетные данные:
25.01.2005 US 11/042,858
Реферат
Изобретение может быть использовано для выращивания кристаллов. Аппарат для выращивания кристаллов содержит капсулу 12, выполненную с возможностью содержать сверхкритическую текучую среду, сосуд высокого давления 16, расположенный вокруг капсулы 12 и выполненный с возможностью содержать сжатый газ, устройство регулирования давления 44, выполненное с возможностью уравновешивать внутреннее давление внутри капсулы 12 с окружающим давлением сжатого газа внутри сосуда высокого давления 16, и устройство измерения смещения 41. Устройство измерения смещения 41 выполнено с возможностью измерять деформацию капсулы 12 вследствие разности давлений между внутренним давлением и окружающим давлением. Изобретение позволяет создать технологию обработки материалов сверхкритическими текучими средами при относительно более высоких температурах и давлениях по сравнению с существующими системами, а также контролировать и регулировать разность давлений на стенки капсулы для уменьшения деформаций капсулы. 6 н. и 14 з.п. ф-лы, 14 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента