На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПОРИСТЫХ МЕМБРАН | |
Номер публикации патента: 2061533 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | B01D067/00 B01D071/00 | Аналоги изобретения: | Г.Н.Флеров и В.С.Барашенкова, УФН, 1974, т.114, вып. 21, с.361-369. |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт физической оптики и оптики лазеров, информационных оптических систем - головной институт Всероссийского научного центра "ГОИ им.С.И.Вавилова" | Изобретатели: | Дымшиц Ю.И. Ложкин А.Ю. Любарский С.В. Погорелый П.А. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт физической оптики и оптики лазеров, информационных оптических систем - головной институт Всероссийского научного центра "ГОИ им.С.И.Вавилова" |
Реферат | |
Способ изготовления микропористых мембран включает в себя локальное облучение пленок или пластин потоками высокоэнергетических частиц и последующее их травление. Перед облучением пленку или пластину обрабатывают вызывающим ее набухание химическим реагентом и наносят слой эластичного резиста. После облучения пленку или пластину подвергают усадке. Обработку травителем ведут в две ступени, на первой из которых при помощи травителя, не воздействующего на исходную пленку и вытравливающего сквозные отверстия в слое эластичного резиста, а на второй ступени при помощи травителя, не воздействующего на слой эластичного резиста и че - рез отверстие в нем вытравливающего сквозные отверстия в пленке или пластине. Обработку химическим реагентом можно вести до или после нанесения слоя эластичного резиста на пленку или пластину. В качестве слоя эластичного резиста используют лэнгмюровскую пленку. Усадку можно вести до или после первой ступени травления. Перед второй ступенью травления пленку или пластину можно дополнительно облучать потоками высокоэнергетических частиц через отверстия в слое эластичного резиста. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.
|