|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ФРАКЦИИ, ОБОГАЩЕННЫЕ ТЯЖЕЛЫМ И ЛЕГКИМ ИЗОТОПАМИ |  |
Номер публикации патента: 2170609 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B01D059/30 | | Аналоги изобретения: | GB 2015241 A, 05.09.1979. US 4849075 A, 18.07.1989. FR 2275247 A, 16.11.1976. АНДРЕЕВ Б.М. и др. Разделение стабильных изотопов физико-химическими методами. - М.: Энергоатомиздат, 1982, с.107-113. КОЩЕЕВ Н.А., ДЕРГАЧЕВ В.А. Электромагнитное разделение и изотопный анализ. - М.: Энергоатомиздат, 1989, с.87. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" | | Изобретатели: | Прохоров А.М.
Петров Г.Н.
Лященко Б.Г.
Зуева Г.Я. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" |
Реферат | |
Предлагаемое изобретение относится к технологии разделения изотопов при крупномасштабном производстве кремния полупроводниковой чистоты. Технический результат: снижение затрат сырья при организации замкнутого химического цикла в крупномасштабном производстве. Сущность изобретения: осуществляют химический обмен между простыми кремнийсодержащими соединениями - газофазным веществом SiH4 и жидкофазным веществом Si2H6. Используют известную технологию получения дисилана из моносилана. В процессе обмена вещество SiH4 обогащается легким изотопом 28Si, а вещество Si2H6 - тяжелым изотопом 30Si. Дисилан образуется из моносилана после прохождения области тихого электрического разряда и охлаждаемых ловушек. Оптимизацию процесса осуществляют регулированием давления и температуры реагентов в соответствии с Р-Т диаграммой фазового состояния дисилана. Отбор обогащенных фракций и восполнение расходуемого реагента производят без остановки производства. Процесс получения изотопических фракций "тяжелого дисилана" и "легкого моносилана" является замкнутым. 2 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента