|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОРРЕКЦИИ АМЕТРОПИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ АСФЕРИЧЕСКОЙ АБЛЯЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2242198 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | A61F009/008 | | Аналоги изобретения: | RU 2192223 C1, 10.11.2002. RU 2211013 С1, 27.08.2003. ДОГА А.В., АЛИСОВ И.А. Коррекция сложного миопического астигматизма на эксимерлазерной установке "Профиль-500" методом фотоастигматической рефрактивной кератэктомии. Новые технологии в офтальмологии. Сборник научных трудов. Уфа, 2000, с.294-296. СЕМЕНОВ А.Д. и др. Эксимерлазерная установка "Профиль-500" в коррекции сложного миопического астигматизма методом фотоастигматической рефрактивной кератэктомии. Новые технологии микрохирургии глаза. Оренбург, 2000, с.119-122. IBRAHIM О., Laser in situ keratomileusis for hyperopia and hyperopic astigmatism. J. Refract Surgery. - 1998, V.14, p.179-182. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" им. акад. С.Н. Федорова (RU) | | Изобретатели: | Дога А.В. (RU)
Сугробов В.А. (RU)
Мовшев В.Г. (RU)
Хрусталева А.С. (RU)
Кишкин Ю.И. (RU)
Вартапетов С.К. (RU)
Голованов В.Ю. (RU)
Барчунов Б.В. (RU) | | Патентообладатели: | Государственное учреждение Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" им. акад. С.Н. Федорова (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к офтальмологии и предназначается для коррекции аметропии. Осуществляют воздействие на роговицу глаза излучением УФ импульсного лазера, имеющего Гауссово распределение плотности энергии в поперечном сечении пучка. Воздействие производят пучком диафрагмированного по порогу абляции лазерного излучения, образующим на роговице круглое пятно диаметром 0,3-1,2 мм, с энергией в импульсе 0,7-1,4 мДж, длительностью импульса 4-7 нс, частотой следования импульсов от 100 до 300 Гц.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента