ЭСТРИН В.В. и др. Компьютерный электроэнцефалографический анализ как метод оценки состояния ЦНС у новорожденных с респираторным дистресс-синдромом. Вестник Российской ассоциации акушеров-гинекологов. 4, 1998, с.53-55. RU 2141350 C1, 20.11.1999. RU 2190400 C2, 10.10.2002. US 2009260625 A1, 22.10.2009, реферат. КАССИЛЬ В.Л. и др. Респираторнаяподдержка. - М.: Медицина, 1997, с.243-244. GREENOUGH A. Role of ventilation in RSV disease: CPAP, ventilation, HFO, ECMO. Paediatr. Respir. Rev. 2009 Jun., 10, Suppl. 1:26-8., реферат.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение Ростовский научно-исследовательский институт акушерства и педиатрии Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи (RU)
Изобретатели:
Эстрин Владимир Владимирович (RU) Симонова Анна Валерьевна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение Ростовский научно-исследовательский институт акушерства и педиатрии Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи (RU)
Реферат
Изобретение относится к медицине, а именно к неонатологии, и может быть использовано для лечения респираторного дистресс-синдрома (РДС) у новорожденных детей, находящихся на искусственной вентиляции легких (ИВЛ). Для этого у новорожденного, находящегося на ИВЛ, определяют насыщение кислорода в мозговой ткани методом транскраниальной церебральной оксиметрии. Если насыщение кислорода в мозговой ткани достигает верхней границы возрастной нормы - 81% слева, 85% справа и выше, то снижают концентрацию кислорода во вдыхаемой смеси до 21%. Если насыщение кислорода в мозговой ткани ниже 77% слева и 81% справа, то концентрацию кислорода во вдыхаемой смеси увеличивают до достижения показателей возрастной нормы насыщения кислорода в мозговой ткани. Способ позволяет значительно сократить смертность в результате развития РДС у новорожденных, находящихся на ИВЛ, за счет снижения частоты развития оксидативного стресса вследствие подбора оптимальной концентрации кислорода во вдыхаемой смеси в зависимости от степени насыщения мозга кислородом.
Поиск патентов
Получить полное описание патента